グラフェン電界効果トランジスタ
グラフェン電界効果トランジスタ(グラフェンでんかいこうかトランジスタ、Graphene Field effect transistor, G-FET)は、グラフェンを用いた電界効果トランジスタである。 == 概要 == 構造は通常の電界効果トランジスタと似ているがグラフェンをドレイン・ソース間に流れる電流が通過する領域(チャネル)として利用する。
グラフェン電界効果トランジスタ(グラフェンでんかいこうかトランジスタ、Graphene Field effect transistor, G-FET)は、グラフェンを用いた電界効果トランジスタである。 == 概要 == 構造は通常の電界効果トランジスタと似ているがグラフェンをドレイン・ソース間に流れる電流が通過する領域(チャネル)として利用する。
グラフェン電界効果トランジスタ(グラフェンでんかいこうかトランジスタ、Graphene Field effect transistor, G-FET)は、グラフェンを用いた電界効果トランジスタである。 == 概要 == 構造は通常の電界効果トランジスタと似ているがグラフェンをドレイン・ソース間に流れる電流が通過する領域(チャネル)として利用する。
出典: Wikipedia「グラフェン電界効果トランジスタ」 · CC BY-SA 4.0
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