ドレイン誘起障壁低下

ドレイン誘起障壁低下（ドレインゆうきしょうへきていか、英語: Drain-induced barrier lowering、DIBL）とは、MOSFETの短チャネル効果の一つで、ドレイン電圧が大きい場合に閾値電圧が低下する現象のこと。長チャネルのプレーナー型FETでは、チャネルの狭くなった部分（ボトルネック）はドレイン接触から十分に離れた所にあり、基板とゲートの結合によりドレインからの静電的に遮蔽されている。