低速電子線回折
低速電子線回折(ていそくでんしせんかいせつ、英語: low-energy electron diffraction、LEED)は電子回折法の一種であり、電子を試料に照射し、それが回折される様子を観察することで、固体の表面構造を解析する技術である。 利用される電子のエネルギーが低い(20 - 200 eV)点で、同じ原理を用いた分析法である反射高速電子線回折(RHEED)(数 - 100 keV)と区別される。
低速電子線回折(ていそくでんしせんかいせつ、英語: low-energy electron diffraction、LEED)は電子回折法の一種であり、電子を試料に照射し、それが回折される様子を観察することで、固体の表面構造を解析する技術である。 利用される電子のエネルギーが低い(20 - 200 eV)点で、同じ原理を用いた分析法である反射高速電子線回折(RHEED)(数 - 100 keV)と区別される。
低速電子線回折(ていそくでんしせんかいせつ、英語: low-energy electron diffraction、LEED)は電子回折法の一種であり、電子を試料に照射し、それが回折される様子を観察することで、固体の表面構造を解析する技術である。 利用される電子のエネルギーが低い(20 - 200 eV)点で、同じ原理を用いた分析法である反射高速電子線回折(RHEED)(数 - 100 keV)と区別される。
出典: Wikipedia「低速電子線回折」 · CC BY-SA 4.0
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