異方向性磁気抵抗効果

異方向性磁気抵抗効果（AMR:Anisotropic Magneto Resistive effect）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。 == 概要 == Si或いはガラス基板と、その上に形成されたニッケル、鉄などの強磁性金属を主成分とする合金のパターニングされた薄膜は長手方向に磁壁（磁区と磁区の境界）が揃い、形状異方性を示す。