裏面照射型撮像素子
裏面照射型撮像素子(りめんしょうしゃがたさつぞうそし、英語: Back-illuminated sensor)は、固体撮像素子の一形式。 == 概要 == 裏面照射型撮像素子は従来のCCDやCMOS撮像素子のような固体撮像素子と比較して信号を読み取る配線を裏面に設置できるので光の利用効率が高く、画素数を高めたり感度の向上に効果があった。
裏面照射型撮像素子(りめんしょうしゃがたさつぞうそし、英語: Back-illuminated sensor)は、固体撮像素子の一形式。 == 概要 == 裏面照射型撮像素子は従来のCCDやCMOS撮像素子のような固体撮像素子と比較して信号を読み取る配線を裏面に設置できるので光の利用効率が高く、画素数を高めたり感度の向上に効果があった。
裏面照射型撮像素子(りめんしょうしゃがたさつぞうそし、英語: Back-illuminated sensor)は、固体撮像素子の一形式。 == 概要 == 裏面照射型撮像素子は従来のCCDやCMOS撮像素子のような固体撮像素子と比較して信号を読み取る配線を裏面に設置できるので光の利用効率が高く、画素数を高めたり感度の向上に効果があった。
出典: Wikipedia「裏面照射型撮像素子」 · CC BY-SA 4.0
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