量子ホール効果
量子ホール効果(りょうしホールこうか、英: quantum Hall effect)は、半導体‐絶縁体界面や半導体のヘテロ接合などで実現される、2次元電子系に対し強い磁場(強磁場)を印加すると、電子の軌道運動が量子化され、エネルギー準位が離散的な値に縮退し、ランダウ準位が形成される現象を指す。 ランダウ準位の状態密度は実際の試料では不純物の影響によってある程度の広がりを持つ。
量子ホール効果(りょうしホールこうか、英: quantum Hall effect)は、半導体‐絶縁体界面や半導体のヘテロ接合などで実現される、2次元電子系に対し強い磁場(強磁場)を印加すると、電子の軌道運動が量子化され、エネルギー準位が離散的な値に縮退し、ランダウ準位が形成される現象を指す。 ランダウ準位の状態密度は実際の試料では不純物の影響によってある程度の広がりを持つ。
量子ホール効果(りょうしホールこうか、英: quantum Hall effect)は、半導体‐絶縁体界面や半導体のヘテロ接合などで実現される、2次元電子系に対し強い磁場(強磁場)を印加すると、電子の軌道運動が量子化され、エネルギー準位が離散的な値に縮退し、ランダウ準位が形成される現象を指す。 ランダウ準位の状態密度は実際の試料では不純物の影響によってある程度の広がりを持つ。
出典: Wikipedia「量子ホール効果」 · CC BY-SA 4.0
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