電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ

電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ（でんしちゅうにゅうそくしんがたぜつえんゲートトランジスタ、英: injection enhanced gate transistor、IEGT）は半導体素子のひとつで、絶縁ゲートバイポーラトランジスタの構造を改良したパワーデバイスである。