EKV MOSFET Model
EKV Mosfet Model はMOS電界効果トランジスタの特性を表現する数学的モデルで、回路シミュレーションやアナログ回路設計で利用されることを目的としたものである。 このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz （彼等3名の頭文字をとってEKVとした）らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである。
EKV Mosfet Model はMOS電界効果トランジスタの特性を表現する数学的モデルで、回路シミュレーションやアナログ回路設計で利用されることを目的としたものである。 このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz （彼等3名の頭文字をとってEKVとした）らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである。
EKV Mosfet Model はMOS電界効果トランジスタの特性を表現する数学的モデルで、回路シミュレーションやアナログ回路設計で利用されることを目的としたものである。 このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz （彼等3名の頭文字をとってEKVとした）らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである。
出典: Wikipedia「EKV MOSFET Model」 · CC BY-SA 4.0
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