強誘電体浮遊ゲートメモリ

強誘電体浮遊ゲートメモリ(きょうゆうでんたいふゆうげーとめもり・英: Ferroelectric Floating Gate Random Access Memory)とは、FeRAMの一種で、セルとして強誘電体をゲート絶縁膜にしたFETを用いており、FFRAMとも呼ばれる。 == 構造と動作原理 == メモリセル構成としては、ゲート絶縁膜が強誘電体から成るMFS-FET又はMFMIS-FETから成る1T型(トランジスター型)である。