強誘電体メモリ
強誘電体メモリ（きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random-access memory）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。 なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル（現・サイプレス・セミコンダクター）による商標で、日本では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用していた。
強誘電体メモリ（きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random-access memory）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。 なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル（現・サイプレス・セミコンダクター）による商標で、日本では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用していた。
強誘電体メモリ（きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random-access memory）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。 なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル（現・サイプレス・セミコンダクター）による商標で、日本では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用していた。
出典: Wikipedia「強誘電体メモリ」 · CC BY-SA 4.0
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