スピン注入メモリ
スピン注入メモリ(スピンちゅうにゅうメモリ、英: Spin Transfer Torque Random Access Memory)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAMまたはST-MRAMとも呼ばれる。 なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。
スピン注入メモリ(スピンちゅうにゅうメモリ、英: Spin Transfer Torque Random Access Memory)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAMまたはST-MRAMとも呼ばれる。 なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。
スピン注入メモリ(スピンちゅうにゅうメモリ、英: Spin Transfer Torque Random Access Memory)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAMまたはST-MRAMとも呼ばれる。 なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。
出典: Wikipedia「スピン注入メモリ」 · CC BY-SA 4.0
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