分子線エピタキシー法
分子線エピタキシー法(ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy)は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。 真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。
分子線エピタキシー法(ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy)は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。 真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。
分子線エピタキシー法(ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy)は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。 真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。
出典: Wikipedia「分子線エピタキシー法」 · CC BY-SA 4.0
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