エピタキシャル成長
エピタキシャル成長(エピタキシャルせいちょう、英語:epitaxial growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。 基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。
エピタキシャル成長(エピタキシャルせいちょう、英語:epitaxial growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。 基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。
エピタキシャル成長(エピタキシャルせいちょう、英語:epitaxial growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。 基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。
出典: Wikipedia「エピタキシャル成長」 · CC BY-SA 4.0
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