歪みシリコン
歪みシリコン(ひずみシリコン)は、半導体演算素子の高速化技術の1つである。 シリコン結晶の表面の半導体を構築する部分だけを層状に、シリコン原子同士の間隔を広くした結晶構造であり、その技術とそれから得られるウェハー製品である。
歪みシリコン(ひずみシリコン)は、半導体演算素子の高速化技術の1つである。 シリコン結晶の表面の半導体を構築する部分だけを層状に、シリコン原子同士の間隔を広くした結晶構造であり、その技術とそれから得られるウェハー製品である。
歪みシリコン(ひずみシリコン)は、半導体演算素子の高速化技術の1つである。 シリコン結晶の表面の半導体を構築する部分だけを層状に、シリコン原子同士の間隔を広くした結晶構造であり、その技術とそれから得られるウェハー製品である。
出典: Wikipedia「歪みシリコン」 · CC BY-SA 4.0
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